رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CTLDM304P-M832DS TR
Product Overview
المُصنّع:
Central Semiconductor Corp
رقم الجزء DiGi Electronics:
CTLDM304P-M832DS TR-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4.2A 1.65W Surface Mount TLM832DS
المخزون:
2961 قطع جديدة أصلية في المخزون
12789405
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
fEkC
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CTLDM304P-M832DS TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Central Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
760pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.65W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-TDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
TLM832DS
رقم المنتج الأساسي
CTLDM304P
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
-CTLDM304P-M832DS TR-DG
CTLDM304P-M832DS TR LEAD FREE
-CTLDM304P-M832DS TR-DKR-DG
CTLDM304P-M832DS DKR-DG
-CTLDM304P-M832DSDKR
-CTLDM304P-M832DS CT-DG
CTLDM304P-M832DSDKR
-CTLDM304P-M832DSCT
CTLDM304P-M832DSTR
CTLDM304P-M832DS DKR
CTLDM304P-M832DS TR PBFREE
CTLDM304P-M832DS CT
CTLDM304P-M832DS TR-DG
CTLDM304P-M832DS CT-DG
-CTLDM304P-M832DS DKR-DG
CTLDM304P-M832DSCT
-CTLDM304P-M832DS TR PBFREE
-CTLDM304P-M832DS TR-DKR
-CTLDM304P-M832DS TR-CT-DG
-CTLDM304P-M832DS TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD75208W1015T
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
CSD86350Q5D
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
CSD87355Q5DT
MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
